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三大存儲器廠今年NAND資本支出不增反減Q3NANDFlash或供過于求

發(fā)布時間:2024-07-26 10:00 編輯:王鑫 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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三大存儲器廠今年NAND資本支出不增反減Q3NANDFlash或供過于求,7月26日訊,隨著HBM高價產(chǎn)品貢獻獲利的快速成長,帶動產(chǎn)能排擠及產(chǎn)業(yè)供需改善,各家存儲器原廠2024年陸續(xù)重啟資本支出進行投資。業(yè)界初估,三大存儲器

三大存儲器廠今年NAND資本支出不增反減Q3NANDFlash或供過于求,7月26日訊,隨著HBM高價產(chǎn)品貢獻獲利的快速成長,帶動產(chǎn)能排擠及產(chǎn)業(yè)供需改善,各家存儲器原廠2024年陸續(xù)重啟資本支出進行投資。業(yè)界初估,三大存儲器供應(yīng)商的重心聚焦HBM及高價DRAM,盡管企業(yè)級儲存需求強勁,但NANDFlash市場仍存在供過于求隱憂,相較于過去兩年,三星電子、SK海力士及美光今年對NANDFlash資本投資不增反減。NANDFlash報價逐季走揚,各家原廠下半年的產(chǎn)能全面恢復(fù)正常水位,但市場估計,第三季NANDFlash或微幅供過于求,而NANDFlash價格上漲也將趨于平緩。

備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。

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