成立時(shí)間：
注冊(cè)資本：
經(jīng)營(yíng)范圍： 常規(guī)、 高純、 廠家、 專業(yè)、 金屬硅、
| 用作鍍膜材料，濺射靶材 |
| 用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等 |
| 用作制造單晶硅的原料，還用于電子工業(yè) |
| 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等 |
| 用于制造半導(dǎo)體分立器件、功率器件、集成電路和外延襯底等。 |
| 主要用于制多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金等 |
| 用于制晶體管、整流器和太陽(yáng)能電池，還用于制高硅鑄鐵、硅鋼、各種有機(jī)硅化合物等 |
| 用作制備單晶硅的原料。 |
| 三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通人的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進(jìn)行氯化反應(yīng)，反應(yīng)氣體經(jīng)旋風(fēng)分離除去雜質(zhì)，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經(jīng)粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經(jīng)精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達(dá)到7個(gè)“9”以上、雜質(zhì)含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送人不銹鋼制的還原爐內(nèi)，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。其H2+C12→2HClS+3HCl→SiHC13+H2SiHCl3+H2→Si+3HCl |
| 工業(yè)生產(chǎn)有坩堝直拉法、懸浮區(qū)熔法、中子嬗變摻雜法。坩堝直拉法拉晶前先將設(shè)備各部件、合金石英坩堝、硅多晶和籽晶進(jìn)行清潔處理。將硅多晶破碎除去石墨，經(jīng)丙酮去油后，進(jìn)行化學(xué)清洗，用無(wú)離子水洗至中性，再經(jīng)超聲波清洗，紅外干燥，配料及摻雜，加入單晶爐的合金石英坩堝中，再經(jīng)抽真空、熔化，在流通的氬氣氛下，人工引晶放肩和收尾。晶體的等徑生長(zhǎng)過(guò)程中，需根據(jù)情況適當(dāng)調(diào)節(jié)功率，使其獲得直徑均勻的產(chǎn)品，經(jīng)檢測(cè)、稱量，制得硅單晶成品。懸浮區(qū)熔法先將設(shè)備和原料清潔處理，把硅多晶切斷，磨后用丙酮去油，進(jìn)行化學(xué)清洗，用無(wú)離子水洗至中性，再經(jīng)超聲波清洗，紅外干燥，配料和摻雜，裝爐，抽真空或充氬氣。在氬氣下高頻加熱進(jìn)行區(qū)熔提純單晶。預(yù)熱、引晶、放肩、等徑、收尾等過(guò)程，由人工控制。再經(jīng)檢測(cè)、稱量，制得硅單晶成品。 |
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