2024年3月13日,上海微系統(tǒng)所在硅基磷化銦異質(zhì)集成片上光源方面取得重要進(jìn)展,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì),在通訊波段硅基磷化銦異質(zhì)集成激光器方面取得了重要進(jìn)展?;凇半x子刀”異質(zhì)集成技術(shù)成功制備出高質(zhì)量4英寸硅基InP單晶薄膜異質(zhì)襯底(InPOS),并進(jìn)一步制備了性能優(yōu)異的晶圓級(jí)硅基1.55mm通訊波段法布里-珀羅腔(FP)腔激光器,得益于高質(zhì)量的硅基磷化銦單晶薄膜,器件連續(xù)波(CW)模式下單面最高輸出功率達(dá)155mW且未飽和,CW模式最高可工作至120℃,且閾值電流低至0.65kA/cm-2,目前,在輸出功率、工作溫度和閾值電流密度等主要指標(biāo)方面均為單片集成獲得的硅基C波段FP腔激光器國(guó)際已報(bào)道的最優(yōu)值。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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