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"碳化硅時代"這項半導(dǎo)體突破,正讓光伏和5G更高效

發(fā)布時間:2025-09-10 16:26 編輯:有色 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向第三代半導(dǎo)體材料加速迭代的關(guān)鍵時刻,中國科學院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司宣布實現(xiàn)重大技術(shù)突破:自主研發(fā)的12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)已實現(xiàn)量產(chǎn),單位芯片成

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向第三代半導(dǎo)體材料加速迭代的關(guān)鍵時刻,中國科學院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)——北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司宣布實現(xiàn)重大技術(shù)突破:自主研發(fā)的12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)已實現(xiàn)量產(chǎn),單位芯片成本顯著降低,產(chǎn)能提升數(shù)倍。這一里程碑進展不僅打破了國外技術(shù)壟斷,更標志著中國在第三代半導(dǎo)體核心制造領(lǐng)域正式進入國際第一梯隊,為全球綠色能源轉(zhuǎn)型注入新動能。

碳化硅:重塑能源效率的"超級材料"
碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,憑借其耐高壓、耐高溫和高頻高效等特性,被譽為"半導(dǎo)體工業(yè)的金剛石"。與傳統(tǒng)硅基材料相比,碳化硅器件能夠?qū)㈦娏D(zhuǎn)換效率提升30%以上,同時使體積縮小50%。例如,在新能源汽車逆變器中,碳化硅MOSFET可使續(xù)航里程增加10%-15%,充電速度提升30%。這種顛覆性性能優(yōu)勢使其成為新能源革命的核心材料,從特斯拉Model 3到比亞迪"漢",全球主流車企已將碳化硅列為下一代電驅(qū)系統(tǒng)的標準配置。

三大應(yīng)用場景驅(qū)動碳化硅需求爆發(fā)
??新能源汽車:從"電動化"邁向"高效化"的關(guān)鍵跳板??
碳化硅器件在電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)、車載充電(OBC)和充電樁中的應(yīng)用正在快速普及。特斯拉采用碳化硅逆變器后,Model 3的能源損耗降低10%,續(xù)航里程突破500公里。隨著800V高壓平臺成為行業(yè)趨勢,碳化硅器件需求將呈現(xiàn)指數(shù)級增長。預(yù)計到2025年,全球車用碳化硅市場規(guī)模將突破17億美元。
5G通信:高頻時代的性能"倍增器"??
在5G基站中,碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)功率放大器可將信號覆蓋范圍擴大30%,同時能耗降低40%。華為、愛立信等設(shè)備商已大規(guī)模采用該技術(shù),推動單基站成本下降15%以上。隨著6G研發(fā)啟動,更高頻率的通信需求將進一步依賴碳化硅材料的高頻特性。
可再生能源:實現(xiàn)碳中和目標的"硬通貨"??
在光伏逆變器中,碳化硅器件可使能量轉(zhuǎn)換效率從95%提升至98%,每GW裝機容量每年可減少碳排放超過1萬噸。全球最大光伏企業(yè)隆基綠能已宣布,其下一代逆變器將全面采用碳化硅方案。在風電變流器、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,碳化硅同樣展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢。

國產(chǎn)替代加速:從"跟跑"到"領(lǐng)跑"的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)折
長期以來,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈被美國Cree、歐洲英飛凌、日本羅姆等企業(yè)壟斷,國內(nèi)80%的碳化硅襯底依賴進口。晶飛半導(dǎo)體12英寸晶圓技術(shù)的突破,不僅將國產(chǎn)襯底成本降低30%-40%,更通過激光剝離工藝解決了大尺寸晶圓加工的世界性難題。
這一突破背后是中國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域"全鏈條自主可控"的戰(zhàn)略布局——從中科院半導(dǎo)體所的材料研發(fā),到天岳先進的8英寸襯底量產(chǎn),再到晶飛半導(dǎo)體的設(shè)備突破,中國已構(gòu)建起從材料、器件到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
國際市場對此反應(yīng)敏銳:意法半導(dǎo)體、英飛凌等巨頭已在中國設(shè)立合資工廠,加速本土化布局。而比亞迪、三安光電等國內(nèi)企業(yè)正通過垂直整合模式搶占市場先機。預(yù)計到2029年,中國碳化硅市場規(guī)模將占全球40%以上,成為全球最大應(yīng)用市場。

未來十年:技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu)并行
隨著制造工藝成熟,碳化硅器件成本將持續(xù)下降,預(yù)計到2030年其價格將接近硅基IGBT。技術(shù)創(chuàng)新仍在多個維度加速推進:
材料創(chuàng)新??:4H-SiC向6H-SiC升級,擊穿電壓提升至20kV以上,滿足特高壓電網(wǎng)需求;
封裝集成??:雙面冷卻、三維封裝等技術(shù)推動器件功率密度再提升50%;
智能化融合??:碳化硅與AI、物聯(lián)網(wǎng)結(jié)合,催生"能效-算力"協(xié)同優(yōu)化的新型應(yīng)用場景。
這場由碳化硅引領(lǐng)的半導(dǎo)體革命,本質(zhì)上是一場能源效率的全球競賽。中國憑借技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)協(xié)同,正從參與者轉(zhuǎn)變?yōu)橐?guī)則制定者。當碳化硅器件在新能源汽車、5G基站和光伏電站中持續(xù)釋放能效紅利,其意義已超越技術(shù)本身——這是中國在全球綠色轉(zhuǎn)型中掌握話語權(quán)的關(guān)鍵戰(zhàn)役,更是人類邁向可持續(xù)未來的堅實一步。

結(jié)語
從實驗室到量產(chǎn)線,從技術(shù)突破到產(chǎn)業(yè)變革,碳化硅正在重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的底層邏輯。北京晶飛的技術(shù)突破,只是這場革命的序幕。隨著更多中國企業(yè)加入賽道,第三代半導(dǎo)體將成為"中國芯"崛起的新引擎,為全球能源轉(zhuǎn)型提供"中國方案"。這場由碳化硅掀起的科技浪潮,正在重新繪制21世紀的全球科技版圖。

(注:

備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。

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