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AI存儲芯片價格狂飆三星Q4利潤或飆升160% 產(chǎn)業(yè)裂變重構(gòu)全球半導(dǎo)體格局

發(fā)布時間:2026-01-06 18:22 編輯:有色 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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從"產(chǎn)能擠兌"到"千億市場重構(gòu)" 存儲芯片迎史詩級周期轉(zhuǎn)折?2026年開年,全球半導(dǎo)體市場因AI浪潮掀起驚濤駭浪。存儲芯片價格以"一天一價"的瘋狂走勢,撕開產(chǎn)業(yè)十年未遇的超級周期大幕。三星電子最新財報預(yù)告顯示,其

——從"產(chǎn)能擠兌"到"千億市場重構(gòu)" 存儲芯片迎史詩級周期轉(zhuǎn)折?

2026年開年,全球半導(dǎo)體市場因AI浪潮掀起驚濤駭浪。存儲芯片價格以"一天一價"的瘋狂走勢,撕開產(chǎn)業(yè)十年未遇的超級周期大幕。三星電子最新財報預(yù)告顯示,其第四季度營業(yè)利潤或達16.9萬億韓元(約117億美元),同比暴增160%,創(chuàng)下近八年新高。這場由AI引爆的存儲芯片革命,正以遠超預(yù)期的速度重塑全球產(chǎn)業(yè)鏈格局。

供需失衡:AI服務(wù)器"吃光"全球產(chǎn)能?

AI服務(wù)器對存儲芯片的饑渴遠超傳統(tǒng)設(shè)備。單臺AI服務(wù)器需配置1.7TB存儲(普通服務(wù)器僅0.5TB),直接拉動高帶寬存儲器(HBM)、DDR5等高端產(chǎn)品需求激增。SK海力士2026年底前的HBM產(chǎn)能已被英偉達、AMD等大客戶鎖定,三星HBM產(chǎn)能留給中小廠商不足10%。產(chǎn)能向高端傾斜導(dǎo)致傳統(tǒng)DDR4內(nèi)存價格反常飆升,半年累計漲幅超200%,服務(wù)器用DDR4近一月漲幅達70%,甚至出現(xiàn)"前代價格碾壓新一代"的市場異象。

全球存儲市場規(guī)模在2025年Q4突破584億美元,創(chuàng)歷史新高。TrendForce數(shù)據(jù)顯示,DDR5 DRAM合約價同比暴漲314%,NAND閃存供應(yīng)缺口預(yù)計2026年將達8%。美光科技率先披露Q4利潤增長168%,營業(yè)利潤率攀升至47%。
產(chǎn)業(yè)鏈震蕩:模組廠"斷供" 終端被迫"降配"?

存儲漲價潮正從上游向下游傳導(dǎo)。深圳華強北存儲商戶形容市場"一天幾個價",創(chuàng)見等模組廠因成本失控暫停報價。英偉達、AMD接連宣布顯卡漲價,三星電子為保利潤暫停部分中低端顯卡生產(chǎn)。終端市場更遭池魚之殃:紅米K90系列提價400元,聯(lián)想電腦庫存激增50%,TrendForce被迫下修2026年全球手機、PC出貨量預(yù)測各2%。

"存儲漲價已反噬算力經(jīng)濟。"深圳理工大學(xué)唐志敏教授指出,數(shù)據(jù)中心建設(shè)成本激增正抑制盲目投資,部分企業(yè)開始重新評估智算中心效益。

格局重構(gòu):國產(chǎn)突圍與技術(shù)霸權(quán)爭奪?

在這場產(chǎn)業(yè)變局中,中國存儲企業(yè)加速破局。長鑫存儲DDR5產(chǎn)品量產(chǎn),長江存儲3D NAND技術(shù)突破,國產(chǎn)DRAM市場份額從Q1的6%躍升至Q4的8%。德明利、江波龍等模組廠通過綁定國產(chǎn)顆粒構(gòu)建供應(yīng)鏈防火墻,深圳華強北已出現(xiàn)搭載長鑫存儲的DDR4內(nèi)存條替代方案。

但國際巨頭技術(shù)壁壘依然森嚴(yán)。SK海力士憑借HBM4技術(shù)反超三星,美光科技通過Blackwell架構(gòu)鞏固市場地位。美銀最新報告指出,全球半導(dǎo)體銷售額2026年將突破萬億美元,英偉達、博通、AMD因掌握AI芯片核心架構(gòu),被列為"超級周期"最大贏家。

周期隱憂:狂歡背后的冷思考?

盡管市場一片火熱,理性聲音仍在警示風(fēng)險。集邦咨詢預(yù)測,2026年存儲芯片價格漲幅或趨緩,DDR5產(chǎn)能擴張滯后可能引發(fā)新一輪供需失衡。產(chǎn)業(yè)分析師指出,處理器與存儲器的價值博弈長期存在,若AI算力轉(zhuǎn)化效率不及預(yù)期,高價難以持續(xù)。

"這輪周期本質(zhì)是技術(shù)代差引發(fā)的利潤分配革命。"行業(yè)觀察家麥旻表示,當(dāng)國產(chǎn)存儲突破10納米工藝、HBM量產(chǎn)良率突破80%,全球存儲版圖或?qū)⒂瓉眍嵏残灾貥?gòu)。

備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。

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