10nm將曇花一現(xiàn)？英特爾爆7nm工藝進(jìn)度！

現(xiàn)在，事實(shí)證明，英特爾的10納米可能是一個(gè)短生命節(jié)點(diǎn)，因?yàn)樵摴镜?納米技術(shù)正按照其原始計(jì)劃進(jìn)行引入。

英特爾在過去曾多次表示，他們?yōu)?0納米制造工藝設(shè)定了過于激進(jìn)的縮放/晶體管密度目標(biāo)，這也是他們?cè)谶^去多年在開發(fā)過程中遇到問題的原因。根據(jù)英特爾的計(jì)劃，他們的10制造技術(shù)完全依賴于工作在193納米波長(zhǎng)的深紫外光光刻機(jī)（DUVL）。為了實(shí)現(xiàn)英特爾在10納米上實(shí)現(xiàn)的精細(xì)特征尺寸，該過程必須大量使用多重圖案。根據(jù)英特爾的說法，在這個(gè)過程中碰到的一個(gè)主要問題恰恰就是他們對(duì)多重圖形的大量使用（SAQP曝光技術(shù)，即自對(duì)準(zhǔn)四重曝光）。

日前，英特爾首席工程官兼技術(shù)，系統(tǒng)架構(gòu)和客戶群總裁Murthy Renduchintala在納斯達(dá)克第39屆投資者大會(huì)上透露了公司的7nm計(jì)劃，他表示：

“我們有一個(gè)相對(duì)獨(dú)立的團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行7納米產(chǎn)品的研發(fā)。我們對(duì)7 nm的進(jìn)展也感到非常滿意。我認(rèn)為我們已經(jīng)從10 nm的推進(jìn)中吸取了大量的經(jīng)驗(yàn)，因?yàn)槲覀儗?duì)此進(jìn)行了定義，并在晶體管密度，功率和性能以及進(jìn)度可預(yù)測(cè)性之間定義了不同的優(yōu)化點(diǎn)。根據(jù)我們最初的內(nèi)部計(jì)劃，我們非常非常專注于7納米，并寄望盡快獲得成功。”

“我要說的一點(diǎn)是，當(dāng)你看到7納米時(shí)，對(duì)于我們來說，這就是我們將EUV投入制造矩陣的時(shí)間點(diǎn)，因此我認(rèn)為，這將給從一定程度上支持我們重新回到傳統(tǒng)摩爾定律的節(jié)奏?！?/p>

“到了[7納米]，我們將回到更像是一個(gè)2倍的縮放目標(biāo)，然后真正向前推進(jìn)這個(gè)目標(biāo)?！?，Murthy說。

英特爾從未公開其7納米制造技術(shù)的細(xì)節(jié)，但多圖案使用的大幅減少以及更傳統(tǒng)的2倍縮放目標(biāo)與10納米相比表明，EUVL的使用將更為廣泛。

根據(jù)ASML，一個(gè)EUV層需要一個(gè)EUV步進(jìn)掃描系統(tǒng)，每月約45,000個(gè)晶圓啟動(dòng)。因此，如果英特爾計(jì)劃將EUVL廣泛用于10到20層，那么對(duì)于每個(gè)月需要啟動(dòng)100,000個(gè)晶圓的工廠來說，那就需要大約20到40個(gè)EUV光刻機(jī)?？紤]到英特爾不是唯一計(jì)劃在2020年使用EUV光刻機(jī)的公司。因此，在多個(gè)晶圓廠獲得HVM需要的EUV光刻機(jī)數(shù)量，對(duì)英特爾來說可能是一個(gè)挑戰(zhàn)。

與此同時(shí)，到目前為止，英特爾已宣布計(jì)劃只有一個(gè)7納米晶圓廠：亞利桑那州的Fab 42。此外，該公司將在D1工廠擁有7納米的容量，用于開發(fā)和試驗(yàn)（以及其他方面）。

備注：數(shù)據(jù)僅供參考，不作為投資依據(jù)。