比亞迪發(fā)布IGBT4.0“中國(guó)芯” 打破國(guó)際巨頭壟斷電動(dòng)車核心技術(shù)

中證APP訊（記者崔小粟）12月10日，比亞迪在寧波發(fā)布了車規(guī)級(jí)IGBT4.0技術(shù)。該技術(shù)在電動(dòng)車的電流輸出能力、綜合損耗、溫度循環(huán)壽命等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)上都有所突破。據(jù)了解，比亞迪已經(jīng)陸續(xù)掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造、模組設(shè)計(jì)和制造、大功率器件測(cè)試應(yīng)用平臺(tái)、電源及電控等環(huán)節(jié)，全面布局IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，未來五年，全球車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)的供應(yīng)將愈加緊張。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動(dòng)力電池電芯并稱為電動(dòng)車的“雙芯”，是影響電動(dòng)車性能的關(guān)鍵技術(shù)，其成本占整車成本的5%左右。對(duì)于電動(dòng)車而言，IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。IGBT屬于汽車功率半導(dǎo)體的一種，因設(shè)計(jì)門檻高、制造技術(shù)難、投資大，被業(yè)內(nèi)稱為電動(dòng)車核心技術(shù)的“珠穆拉瑪峰”。此前，該技術(shù)主要掌握在國(guó)際巨頭手中，中高端IGBT市場(chǎng)90%的份額被國(guó)際巨頭壟斷，導(dǎo)致“一芯難求”，成為制約我國(guó)電動(dòng)車行業(yè)健康、快速發(fā)展的主要瓶頸。目前，比亞迪該技術(shù)處于全球先進(jìn)水平，在大規(guī)模應(yīng)用的1200V車規(guī)級(jí)IGBT芯片的晶圓厚度上，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發(fā)絲直徑）。

此次推出的比亞迪IGBT4.0，在諸多關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)上都十分領(lǐng)先，例如：電流輸出能力較當(dāng)前市場(chǎng)主流的IGBT高15%，支持整車具有更強(qiáng)的加速能力和更大的功率輸出能力。同等工況下，綜合損耗較當(dāng)前市場(chǎng)主流的IGBT降低了約20%。這意味著電流通過IGBT器件時(shí)，受到的損耗降低，使得整車電耗顯著降低。以比亞迪全新一代唐為例，在其他條件不變的情況下，僅此一項(xiàng)技術(shù)，就可將百公里電耗降低約3%。

此外，IGBT4.0的溫度循環(huán)壽命可以做到當(dāng)前市場(chǎng)主流IGBT的10倍以上。這意味著未來電動(dòng)車在應(yīng)對(duì)各種極端氣候、路況時(shí)，能有更高的可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命。

中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)秘書長(zhǎng)蔚紅旗表示：“比亞迪在電動(dòng)車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)造了領(lǐng)先，中國(guó)的電動(dòng)車發(fā)展不用擔(dān)心被‘卡脖子’了。”

據(jù)了解，2005年，比亞迪組建自身研發(fā)團(tuán)隊(duì)布局IGBT產(chǎn)業(yè)。2009年9月，比亞迪IGBT芯片通過了中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)組織的科技成果鑒定。目前，比亞迪已經(jīng)陸續(xù)掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造、模組設(shè)計(jì)和制造、大功率器件測(cè)試應(yīng)用平臺(tái)、電源及電控等環(huán)節(jié)，全面布局IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。

根據(jù)世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（FutureElectronicsLTD）的統(tǒng)計(jì)，2018年，車規(guī)級(jí)IGBT模塊的交貨周期最長(zhǎng)已經(jīng)達(dá)到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。而2018-2022年，全球電動(dòng)車年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)30%，但同期車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率僅為15.7%?？梢灶A(yù)見，未來幾年全球車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)的供應(yīng)將愈加緊張。

比亞迪方面還宣布，近期已經(jīng)成功研發(fā)了SiCMOSFET（汽車功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中，實(shí)現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

備注：數(shù)據(jù)僅供參考，不作為投資依據(jù)。